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SIA777EDJ-T1-GE3

SIA777EDJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA777EDJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA777EDJ-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA777EDJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA777EDJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA777EDJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V, 12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A, 4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.2nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大5W, 7.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

668pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 10V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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