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SIA921EDJ-T4-GE3

SIA921EDJ-T4-GE3

僅供參考

型號 SIA921EDJ-T4-GE3
PNEDA編號 SIA921EDJ-T4-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 7 - 三月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA921EDJ-T4-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA921EDJ-T4-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA921EDJ-T4-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大7.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 6V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

642pF @ 10V

功率-最大

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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