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SIA923EDJ-T4-GE3

SIA923EDJ-T4-GE3

僅供參考

型號 SIA923EDJ-T4-GE3
PNEDA編號 SIA923EDJ-T4-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V SC-70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA923EDJ-T4-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA923EDJ-T4-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA923EDJ-T4-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1860pF @ 15V

功率-最大

12W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

79mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

功率-最大

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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