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SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

僅供參考

型號 SIB911DK-T1-GE3
PNEDA編號 SIB911DK-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 23 - 九月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIB911DK-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIB911DK-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIB911DK-T1-GE3, SIB911DK-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 137.28 KB)
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SIB911DK-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs295mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds115pF @ 10V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-75-6L Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-75-6L Dual

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34A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

348mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

374nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

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35nC @ 5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3050pF @ 40V

功率-最大

1W

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