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SIDC03D120H6X1SA3

SIDC03D120H6X1SA3

僅供參考

型號 SIDC03D120H6X1SA3
PNEDA編號 SIDC03D120H6X1SA3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC03D120H6X1SA3資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC03D120H6X1SA3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SIDC03D120H6X1SA3, SIDC03D120H6X1SA3數據表 (總頁數: 4, 大小: 68.78 KB)
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SIDC03D120H6X1SA3規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)3A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

350mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-923

供應商設備包裝

VMN2

工作溫度-結點

150°C (Max)

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Comchip Technology

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

30mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

370mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 40V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

1005 (2512 Metric)

供應商設備包裝

1005/SOD-323F

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Micro Commercial Co

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

65µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOD-123FL

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

440mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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