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SIDC06D60AC6X1SA1

SIDC06D60AC6X1SA1

僅供參考

型號 SIDC06D60AC6X1SA1
PNEDA編號 SIDC06D60AC6X1SA1
描述 DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC06D60AC6X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC06D60AC6X1SA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SIDC06D60AC6X1SA1, SIDC06D60AC6X1SA1數據表 (總頁數: 4, 大小: 57.45 KB)
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SIDC06D60AC6X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)20A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.95V @ 20A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

910mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 250V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 10V

電容@ Vr,F

85pF @ 1V, 1MHz

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