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SIDC09D60E6 UNSAWN

SIDC09D60E6 UNSAWN

僅供參考

型號 SIDC09D60E6 UNSAWN
PNEDA編號 SIDC09D60E6-UNSAWN
描述 DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC09D60E6 UNSAWN資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC09D60E6 UNSAWN
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC09D60E6 UNSAWN規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)20A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TS-1

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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75V

電流-平均整流(Io)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

500pA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-523

工作溫度-結點

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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