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SIDC14D120H6X1SA1

SIDC14D120H6X1SA1

僅供參考

型號 SIDC14D120H6X1SA1
PNEDA編號 SIDC14D120H6X1SA1
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC14D120H6X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC14D120H6X1SA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SIDC14D120H6X1SA1, SIDC14D120H6X1SA1數據表 (總頁數: 4, 大小: 66.04 KB)
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SIDC14D120H6X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)25A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 25A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AB, MELF

供應商設備包裝

MELF

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

240A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 240A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 45V

電容@ Vr,F

10500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

HALF-PAK

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-

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GeneSiC Semiconductor

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

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CD214A-F150

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系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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