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SIDC14D60E6YX1SA1

SIDC14D60E6YX1SA1

僅供參考

型號 SIDC14D60E6YX1SA1
PNEDA編號 SIDC14D60E6YX1SA1
描述 DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC14D60E6YX1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC14D60E6YX1SA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC14D60E6YX1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)30A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 30A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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420mV @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9.6ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

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