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SIDC30D120E6X1SA2

SIDC30D120E6X1SA2

僅供參考

型號 SIDC30D120E6X1SA2
PNEDA編號 SIDC30D120E6X1SA2
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC30D120E6X1SA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC30D120E6X1SA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC30D120E6X1SA2規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)35A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.9V @ 35A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

500A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.25V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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1.45V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

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850mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 100V

電容@ Vr,F

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