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SIDC42D60E6X1SA1

SIDC42D60E6X1SA1

僅供參考

型號 SIDC42D60E6X1SA1
PNEDA編號 SIDC42D60E6X1SA1
描述 DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC42D60E6X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC42D60E6X1SA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC42D60E6X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)100A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 100A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 50mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 20V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

電容@ Vr,F

340pF @ 0V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1400V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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