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SIDC56D120E6X1SA1

SIDC56D120E6X1SA1

僅供參考

型號 SIDC56D120E6X1SA1
PNEDA編號 SIDC56D120E6X1SA1
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC56D120E6X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC56D120E6X1SA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC56D120E6X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)75A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.9V @ 75A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

A, Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-65°C ~ 200°C

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2500V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

5V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 2500V

電容@ Vr,F

4pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

Axial

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WeEn Semiconductors

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

230µA @ 650V

電容@ Vr,F

260pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

22pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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