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SIDC56D60E6X1SA1

SIDC56D60E6X1SA1

僅供參考

型號 SIDC56D60E6X1SA1
PNEDA編號 SIDC56D60E6X1SA1
描述 DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC56D60E6X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC56D60E6X1SA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SIDC56D60E6X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)150A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 150V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SMB

工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

7µA @ 80V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

215mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123F

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