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SIE820DF-T1-E3

SIE820DF-T1-E3

僅供參考

型號 SIE820DF-T1-E3
PNEDA編號 SIE820DF-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIE820DF-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIE820DF-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIE820DF-T1-E3, SIE820DF-T1-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 120.8 KB)
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SIE820DF-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs143nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4300pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)5.2W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝10-PolarPAK® (S)
包裝/箱10-PolarPAK® (S)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 6.3µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

294pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

204nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6675pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

680W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

396mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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FET功能

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