Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

僅供參考

型號 SIHB22N65E-GE3
PNEDA編號 SIHB22N65E-GE3
描述 MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 11 - 四月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIHB22N65E-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIHB22N65E-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIHB22N65E-GE3, SIHB22N65E-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 213.93 KB)
PDFSIHB22N65E-GE3數據表 封面
SIHB22N65E-GE3數據表 頁面 2 SIHB22N65E-GE3數據表 頁面 3 SIHB22N65E-GE3數據表 頁面 4 SIHB22N65E-GE3數據表 頁面 5 SIHB22N65E-GE3數據表 頁面 6 SIHB22N65E-GE3數據表 頁面 7 SIHB22N65E-GE3數據表 頁面 8 SIHB22N65E-GE3數據表 頁面 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • SIHB22N65E-GE3 Datasheet
  • where to find SIHB22N65E-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIHB22N65E-GE3
  • SIHB22N65E-GE3 PDF Datasheet
  • SIHB22N65E-GE3 Stock

  • SIHB22N65E-GE3 Pinout
  • Datasheet SIHB22N65E-GE3
  • SIHB22N65E-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIHB22N65E-GE3 Price
  • SIHB22N65E-GE3 Distributor

SIHB22N65E-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2415pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)227W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

您可能感興趣的產品

MTD5P06VT4

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF840ASTRRPBF

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1018pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

制造商

IXYS

系列

PolarHT™ HiPerFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

ISOPLUS247™

包裝/箱

ISOPLUS247™

IRF9530PBF

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

88W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

IRF530N_R4942

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 20V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

最近成交

AD8138ARM

AD8138ARM

Analog Devices

IC AMP DIFF LDIST LP 95MA 8MSOP

MBRS340T3G

MBRS340T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 4A SMC

ADG506AKR

ADG506AKR

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC

TC4426AEOA

TC4426AEOA

Microchip Technology

IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC

AS5047D-ATSM

AS5047D-ATSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC PROG

AT90S1200-12SC

AT90S1200-12SC

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1KB FLASH 20SOIC

FIN1019MTCX

FIN1019MTCX

ON Semiconductor

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14TSSOP

B320A-13-F

B320A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 3A SMA

CAY10-330J4LF

CAY10-330J4LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 33 OHM 0804

BF862,215

BF862,215

NXP

JFET N-CH 20V 25MA SOT23

LTM4616EV#PBF

LTM4616EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 0.6-5V

BZE6-2RN-S

BZE6-2RN-S

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 125V