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SIHD3N50DT4-GE3

SIHD3N50DT4-GE3

僅供參考

型號 SIHD3N50DT4-GE3
PNEDA編號 SIHD3N50DT4-GE3
描述 MOSFET N-CH 500V DPAK TO-252
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIHD3N50DT4-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIHD3N50DT4-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIHD3N50DT4-GE3, SIHD3N50DT4-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 187.05 KB)
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SIHD3N50DT4-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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90V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

860mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10185pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

685pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

525V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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