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SIHF18N50D-E3

SIHF18N50D-E3

僅供參考

型號 SIHF18N50D-E3
PNEDA編號 SIHF18N50D-E3
描述 MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 16,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIHF18N50D-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIHF18N50D-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIHF18N50D-E3, SIHF18N50D-E3數據表 (總頁數: 8, 大小: 171.35 KB)
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SIHF18N50D-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs76nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)39W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220 Full Pack
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

780W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1630pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

205nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11500pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

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