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SIPC03N50C3X1SA1

SIPC03N50C3X1SA1

僅供參考

型號 SIPC03N50C3X1SA1
PNEDA編號 SIPC03N50C3X1SA1
描述 TRANSISTOR N-CH
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIPC03N50C3X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIPC03N50C3X1SA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SIPC03N50C3X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 93A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2164pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 79W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1330pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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130W (Tc)

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