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SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

僅供參考

型號 SIRA50DP-T1-RE3
PNEDA編號 SIRA50DP-T1-RE3
描述 MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 12 - 十一月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIRA50DP-T1-RE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIRA50DP-T1-RE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIRA50DP-T1-RE3, SIRA50DP-T1-RE3數據表 (總頁數: 13, 大小: 385.34 KB)
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SIRA50DP-T1-RE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)62.5A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs194nC @ 10V
Vgs(最大)+20V, -16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8445pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)6.25W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.83nC @ 5V

Vgs(最大)

+5.75V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

88pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

96W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

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