SIRA50DP-T1-RE3
僅供參考
型號 | SIRA50DP-T1-RE3 |
PNEDA編號 | SIRA50DP-T1-RE3 |
描述 | MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8 |
制造商 | Vishay Siliconix |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 8,136 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 12 - 十一月 17 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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SIRA50DP-T1-RE3資源
品牌 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | SIRA50DP-T1-RE3 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-單 |
數據表 |
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SIRA50DP-T1-RE3規格
制造商 | Vishay Siliconix |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
FET類型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 40V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 62.5A (Ta), 100A (Tc) |
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 1mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 2.2V @ 250µA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 194nC @ 10V |
Vgs(最大) | +20V, -16V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 8445pF @ 20V |
FET功能 | - |
功耗(最大值) | 6.25W (Ta), 100W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包裝 | PowerPAK® SO-8 |
包裝/箱 | PowerPAK® SO-8 |
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