SIZF906DT-T1-GE3
僅供參考
| 型號 | SIZF906DT-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | SIZF906DT-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 418 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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SIZF906DT-T1-GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SIZF906DT-T1-GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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SIZF906DT-T1-GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 60A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.2V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| 功率-最大 | 38W (Tc), 83W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-PowerWDFN |
| 供應商設備包裝 | 8-PowerPair® (6x5) |
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