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SKI07074

SKI07074

僅供參考

型號 SKI07074
PNEDA編號 SKI07074
描述 MOSFET N-CH 75V 85A TO-263
制造商 Sanken
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SKI07074資源

品牌 Sanken
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SKI07074
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SKI07074, SKI07074數據表 (總頁數: 8, 大小: 593.03 KB)
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SKI07074規格

制造商Sanken
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)85A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.6mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs91nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6340pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)135W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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1.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

475pF @ 80V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 8.3W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

410nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5348pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

417W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

570mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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417mW (Ta)

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