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SKW30N60HSFKSA1

SKW30N60HSFKSA1

僅供參考

型號 SKW30N60HSFKSA1
PNEDA編號 SKW30N60HSFKSA1
描述 IGBT 600V 41A 250W TO247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SKW30N60HSFKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SKW30N60HSFKSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
SKW30N60HSFKSA1, SKW30N60HSFKSA1數據表 (總頁數: 14, 大小: 348.04 KB)
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SKW30N60HSFKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)41A
電流-集電極脈沖(Icm)112A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.15V @ 15V, 30A
功率-最大250W
開關能量1.15mJ
輸入類型Standard
門禁費用141nC
25°C時的Td(開/關)20ns/250ns
測試條件400V, 30A, 11Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)125ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PG-TO247-3

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電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

功率-最大

186W

開關能量

3mJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/160ns

測試條件

600V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

330ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-3P

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

15A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

88µJ (on), 107µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

16nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/34ns

測試條件

300V, 5A, 40Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

55ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 12A

功率-最大

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開關能量

380µJ (on), 900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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