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SL43HE3/57T

SL43HE3/57T

僅供參考

型號 SL43HE3/57T
PNEDA編號 SL43HE3-57T
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SL43HE3/57T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SL43HE3/57T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SL43HE3/57T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果420mV @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 60V

電容@ Vr,F

500pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

6mA @ 135V

電容@ Vr,F

6000pF @ 5V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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