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SMBT3904PNH6327XTSA1

SMBT3904PNH6327XTSA1

僅供參考

型號 SMBT3904PNH6327XTSA1
PNEDA編號 SMBT3904PNH6327XTSA1
描述 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363-6
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 1 - 四月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SMBT3904PNH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SMBT3904PNH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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SMBT3904PNH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大250mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

16 @ 350mA, 5V

功率-最大

2.6W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

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