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SMMBTH10-4LT3G

SMMBTH10-4LT3G

僅供參考

型號 SMMBTH10-4LT3G
PNEDA編號 SMMBTH10-4LT3G
描述 RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SMMBTH10-4LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SMMBTH10-4LT3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
SMMBTH10-4LT3G, SMMBTH10-4LT3G數據表 (總頁數: 5, 大小: 91.3 KB)
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SMMBTH10-4LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡800MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

增益

24dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

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安裝類型

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噪聲系數(dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

增益

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 70mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

150°C (TJ)

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