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SN75468DE4

SN75468DE4

僅供參考

型號 SN75468DE4
PNEDA編號 SN75468DE4
描述 TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 16 - 二月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SN75468DE4資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SN75468DE4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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SN75468DE4規格

制造商
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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晶體管類型

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1.35A, 1.1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 200mA, 2A / 530mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

供應商設備包裝

6-TSOP

制造商

Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V, 45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V / 250 @ 100mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz, 100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

供應商設備包裝

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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