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SN75468NG4

SN75468NG4

僅供參考

型號 SN75468NG4
PNEDA編號 SN75468NG4
描述 TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SN75468NG4資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SN75468NG4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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SN75468NG4規格

制造商
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝16-PDIP

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

380mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V, 6V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA / 250mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V / 200 @ 2mA, 700mV

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 10mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 4V

功率-最大

3W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

8.5GHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN (Dual) Common Emitter

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

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