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SP8J1TB

SP8J1TB

僅供參考

型號 SP8J1TB
PNEDA編號 SP8J1TB
描述 MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8J1TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8J1TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8J1TB, SP8J1TB數據表 (總頁數: 5, 大小: 67.3 KB)
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SP8J1TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 16V

功率-最大

710mW

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.8pF @ 3V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.8nC @ 5V

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