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SP8J5TB

SP8J5TB

僅供參考

型號 SP8J5TB
PNEDA編號 SP8J5TB
描述 MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8J5TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8J5TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8J5TB, SP8J5TB數據表 (總頁數: 5, 大小: 66.18 KB)
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SP8J5TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2600pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 12.5V

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3.1W

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

510mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

304nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 25V

功率-最大

20W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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