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SP8K24FU6TB

SP8K24FU6TB

僅供參考

型號 SP8K24FU6TB
PNEDA編號 SP8K24FU6TB
描述 MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8K24FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8K24FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8K24FU6TB, SP8K24FU6TB數據表 (總頁數: 5, 大小: 139.6 KB)
PDFSP8K24FU6TB數據表 封面
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SP8K24FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)45V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21.6nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

527pF @ 30V, 436pF @ 30V

功率-最大

1.4W (Ta), 5.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 10V

功率-最大

400mW

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.3mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 2.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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