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SP8K4FU6TB

SP8K4FU6TB

僅供參考

型號 SP8K4FU6TB
PNEDA編號 SP8K4FU6TB
描述 MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8K4FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8K4FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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PDFSP8K4FU6TB數據表 封面
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SP8K4FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1190pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.03A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.62nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

59.76pF @ 16V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

166pF @ 40V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

1.4W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1995pF @ 15V

功率-最大

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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