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SP8M21FRATB

SP8M21FRATB

僅供參考

型號 SP8M21FRATB
PNEDA編號 SP8M21FRATB
描述 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M21FRATB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M21FRATB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SP8M21FRATB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)45V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta), 4A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

955pF @ 20V

功率-最大

2W

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Surface Mount

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 10V

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