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SP8M3TB

SP8M3TB

僅供參考

型號 SP8M3TB
PNEDA編號 SP8M3TB
描述 MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M3TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M3TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8M3TB, SP8M3TB數據表 (總頁數: 6, 大小: 107.94 KB)
PDFSP8M3FU6TB數據表 封面
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SP8M3TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A, 4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs51mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.9nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

575pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

300mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

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