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SP8M9FU6TB

SP8M9FU6TB

僅供參考

型號 SP8M9FU6TB
PNEDA編號 SP8M9FU6TB
描述 MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M9FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M9FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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PDFSP8M9FU6TB數據表 封面
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SP8M9FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A, 5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1190pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

364nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9015pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

281pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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