Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SPB16N50C3ATMA1

SPB16N50C3ATMA1

僅供參考

型號 SPB16N50C3ATMA1
PNEDA編號 SPB16N50C3ATMA1
描述 MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPB16N50C3ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPB16N50C3ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • SPB16N50C3ATMA1 Datasheet
  • where to find SPB16N50C3ATMA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies SPB16N50C3ATMA1
  • SPB16N50C3ATMA1 PDF Datasheet
  • SPB16N50C3ATMA1 Stock

  • SPB16N50C3ATMA1 Pinout
  • Datasheet SPB16N50C3ATMA1
  • SPB16N50C3ATMA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • SPB16N50C3ATMA1 Price
  • SPB16N50C3ATMA1 Distributor

SPB16N50C3ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)560V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 675µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)160W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO263-3-2
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

您可能感興趣的產品

制造商

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

53A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

138W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

FDC30N20DZ

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

535pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

960mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SuperSOT™-6

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SUM90N04-3M3P-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

131nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5286pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263 (D2Pak)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

5LN01S-TL-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.57nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.6pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SMCP

包裝/箱

SC-75, SOT-416

FQB9N25TM

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

QFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

最近成交

WSL2010R0100FEA

WSL2010R0100FEA

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1/2W 2010

AD5254BRUZ1-RL7

AD5254BRUZ1-RL7

Analog Devices

IC DGTL POT 1KOHM 256TAP 20TSSOP

TAJC337M006RNJ

TAJC337M006RNJ

CAP TANT 330UF 20% 6.3V 2312

MAX890LESA+T

MAX890LESA+T

Maxim Integrated

IC SW MOSFET PUR PCH HSIDE 8SOIC

74HC74D

74HC74D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14SOIC

HA7-2645-5

HA7-2645-5

Renesas Electronics America Inc.

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8CERDIP

S25FL032P0XMFI001

S25FL032P0XMFI001

Cypress Semiconductor

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC

TL431ACLP

TL431ACLP

ON Semiconductor

IC VREF SHUNT ADJ TO92-3

MMBT3904-7-F

MMBT3904-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3

MCP6042T-I/SN

MCP6042T-I/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

ADM202JRN-REEL7

ADM202JRN-REEL7

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

AMT102-V

AMT102-V

CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR