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SPD04N80C3ATMA1

SPD04N80C3ATMA1

僅供參考

型號 SPD04N80C3ATMA1
PNEDA編號 SPD04N80C3ATMA1
描述 MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPD04N80C3ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPD04N80C3ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SPD04N80C3ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 240µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds570pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)63W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

93A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14100pF @ 25V

FET功能

-

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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22A (Ta), 87A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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