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SPD50P03LGXT

SPD50P03LGXT

僅供參考

型號 SPD50P03LGXT
PNEDA編號 SPD50P03LGXT
描述 MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPD50P03LGXT資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPD50P03LGXT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SPD50P03LGXT規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS®-P
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs126nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6880pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-5
包裝/箱TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7735pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+16V, -12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.8A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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