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SPI07N60C3HKSA1

SPI07N60C3HKSA1

僅供參考

型號 SPI07N60C3HKSA1
PNEDA編號 SPI07N60C3HKSA1
描述 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
制造商 Infineon Technologies
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庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPI07N60C3HKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPI07N60C3HKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SPI07N60C3HKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 350µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds790pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3-1
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A (Ta), 45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 30A, 11.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 11.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13490pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

293W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

314nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14230pF @ 25V

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