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SPI11N60S5BKSA1

SPI11N60S5BKSA1

僅供參考

型號 SPI11N60S5BKSA1
PNEDA編號 SPI11N60S5BKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPI11N60S5BKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPI11N60S5BKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SPI11N60S5BKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1460pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3-1
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 120A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

345nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

156mOhm @ 1.18A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

236mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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