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SPI11N65C3XKSA1

SPI11N65C3XKSA1

僅供參考

型號 SPI11N65C3XKSA1
PNEDA編號 SPI11N65C3XKSA1
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPI11N65C3XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPI11N65C3XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SPI11N65C3XKSA1, SPI11N65C3XKSA1數據表 (總頁數: 15, 大小: 569.12 KB)
PDFSPI11N65C3HKSA1數據表 封面
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SPI11N65C3XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3-1
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 253µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

+5V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

137W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO263-3-2

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APTM120UM95FAG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

103A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

114mOhm @ 51.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 15mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1122nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2272W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

SP6

包裝/箱

SP6

RJK0651DPB-00#J5

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2030pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK

包裝/箱

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NTLUS3A40PZTAG

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制造商

ON Semiconductor

系列

µCool™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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