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SPP11N60CFDHKSA1

SPP11N60CFDHKSA1

僅供參考

型號 SPP11N60CFDHKSA1
PNEDA編號 SPP11N60CFDHKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPP11N60CFDHKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPP11N60CFDHKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SPP11N60CFDHKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs64nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3-1
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Ta), 42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.92W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2820pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

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