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SPS04N60C3BKMA1

SPS04N60C3BKMA1

僅供參考

型號 SPS04N60C3BKMA1
PNEDA編號 SPS04N60C3BKMA1
描述 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
制造商 Infineon Technologies
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庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
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SPS04N60C3BKMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPS04N60C3BKMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SPS04N60C3BKMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds490pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2740pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

80W (Tc)

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