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SQA405EJ-T1_GE3

SQA405EJ-T1_GE3

僅供參考

型號 SQA405EJ-T1_GE3
PNEDA編號 SQA405EJ-T1_GE3
描述 MOSFET P-CHAN 40V
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQA405EJ-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQA405EJ-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SQA405EJ-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1815pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)13.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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技術

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1415pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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