Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJ457EP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJ457EP-T1_GE3
描述 MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 78,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJ457EP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJ457EP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SQJ457EP-T1_GE3, SQJ457EP-T1_GE3數據表 (總頁數: 10, 大小: 206.57 KB)
PDFSQJ457EP-T1_GE3數據表 封面
SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 2 SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 3 SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 4 SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 5 SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 6 SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 7 SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 8 SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 9 SQJ457EP-T1_GE3數據表 頁面 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • SQJ457EP-T1_GE3 Datasheet
  • where to find SQJ457EP-T1_GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SQJ457EP-T1_GE3
  • SQJ457EP-T1_GE3 PDF Datasheet
  • SQJ457EP-T1_GE3 Stock

  • SQJ457EP-T1_GE3 Pinout
  • Datasheet SQJ457EP-T1_GE3
  • SQJ457EP-T1_GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SQJ457EP-T1_GE3 Price
  • SQJ457EP-T1_GE3 Distributor

SQJ457EP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)68W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

您可能感興趣的產品

AO3406

Alpha & Omega Semiconductor

制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3L

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRFP448PBF

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

TO-247-3

IRFL1006TR

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-223

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

GA05JT12-263

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

FET類型

-

技術

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

106W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK (7-Lead)

包裝/箱

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

IRFP3006PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 170A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8970pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AC

包裝/箱

TO-247-3

最近成交

IHLM2525CZER100M01

IHLM2525CZER100M01

Vishay Dale

FIXED IND 10UH 3A 105 MOHM SMD

250R05L0R4AV4T

250R05L0R4AV4T

Johanson Technology

CAP CER 0.4PF 25V C0G/NP0 0201

STPS0560Z

STPS0560Z

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 60V 500MA SOD123

SMCJ36A

SMCJ36A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 36V 58.1V SMC

MC14071BD

MC14071BD

ON Semiconductor

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

MX25V1635FZNI

MX25V1635FZNI

Macronix

IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8WSON

SA555D

SA555D

ON Semiconductor

IC OSC SINGLE TIMER 8-SOP

NC7SZ125M5X

NC7SZ125M5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-5

IP4220CZ6,125

IP4220CZ6,125

Nexperia

TVS DIODE 5.5V 6TSOP

1SS319(TE85L,F)

1SS319(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B

0466.250NR

0466.250NR

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 250MA 125VAC/VDC

83023AMILF

83023AMILF

IDT, Integrated Device Technology

IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 8SOIC