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SQJA46EP-T1_GE3

SQJA46EP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJA46EP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJA46EP-T1_GE3
描述 MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJA46EP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJA46EP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SQJA46EP-T1_GE3, SQJA46EP-T1_GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 216.12 KB)
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SQJA46EP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs105nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)68W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4043pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

240W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.75mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

266nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16488pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK (7-Lead)

包裝/箱

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

E

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

156mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

122nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2774pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 120µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6540pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

190W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

1.56W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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