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SQJA88EP-T1_GE3

SQJA88EP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJA88EP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJA88EP-T1_GE3
描述 MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 27,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJA88EP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJA88EP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SQJA88EP-T1_GE3, SQJA88EP-T1_GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 152.37 KB)
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SQJA88EP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)48W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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制造商

Vishay Siliconix

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FET類型

P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 450µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.05W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

IRFP250

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制造商

STMicroelectronics

系列

PowerMESH™ II

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

158nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-247-3

SIR882DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1930pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

PowerPAK® SO-8

NTD3055L170G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 4.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 28.5W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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