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SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJB42EP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJB42EP-T1_GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 18 - 二月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJB42EP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJB42EP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQJB42EP-T1_GE3, SQJB42EP-T1_GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 214.52 KB)
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SQJB42EP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 25V
功率-最大48W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

567mOhm @ 400mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

78pF @ 50V

功率-最大

7.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

功率-最大

2.16W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 15V

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