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SQM100N04-2M7_GE3

SQM100N04-2M7_GE3

僅供參考

型號 SQM100N04-2M7_GE3
PNEDA編號 SQM100N04-2M7_GE3
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQM100N04-2M7_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQM100N04-2M7_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SQM100N04-2M7_GE3, SQM100N04-2M7_GE3數據表 (總頁數: 10, 大小: 187.76 KB)
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SQM100N04-2M7_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs145nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7910pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)157W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D²Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 22A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 8V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2324pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

290W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 214W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

625mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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