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SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3

僅供參考

型號 SQM120N10-3M8_GE3
PNEDA編號 SQM120N10-3M8_GE3
描述 MOSFET N-CH 100V 120A TO263
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 22,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQM120N10-3M8_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQM120N10-3M8_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SQM120N10-3M8_GE3, SQM120N10-3M8_GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 165.49 KB)
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SQM120N10-3M8_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs190nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7230pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D²Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

915mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.82nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

SC-75, SOT-416

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2419pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

91W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

20W (Tc)

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