SQM120P10_10M1LGE3
僅供參考
| 型號 | SQM120P10_10M1LGE3 |
| PNEDA編號 | SQM120P10_10M1LGE3 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 4,086 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 三月 16 - 三月 21 (選擇加急運輸) |
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SQM120P10_10M1LGE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SQM120P10_10M1LGE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
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SQM120P10_10M1LGE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET類型 | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 100V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 120A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 10.1mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 190nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 9000pF @ 25V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 375W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | TO-263 (D²Pak) |
| 包裝/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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